인텔·ASML, 하이NA EUV로 웨이퍼 100만장 넘게 처리

인텔 파운드리와 ASML이 차세대 노광 기술인 하이NA(High NA) 극자외선(EUV) 장비로 지금까지 100만장이 넘는 웨이퍼를 처리했다고 9월 8일 발표했다. 두 회사는 같은 날 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피' 학회에서 진행 상황을 공개했다.

하이NA EUV는 렌즈가 빛을 모으는 능력을 나타내는 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 높인 노광 장비다. 더 가느다란 회로 선폭을 한 번에 찍을 수 있지만, 대신 한 번에 노출되는 면적이 절반으로 줄어드는 제약이 따른다.

팬서레이크 일부 레이어에 이미 적용

100만장이라는 수치는 초기 장비 인증·시험과 연구개발, 그리고 일부 레이어의 양산 물량을 모두 합한 것이다. 양산이 이뤄진 제품은 코드명 팬서레이크로 알려진 인텔 코어 울트라 시리즈 3 프로세서의 일부다. 인텔 파운드리는 오버레이(여러 층을 겹쳐 찍을 때 생기는 정렬 오차)와 시간당 처리량, 장비 가동률이 모두 기대치를 충족했다고 밝혔다.

인텔 18A 공정에서 하이NA로 일부 레이어를 만든 제품은 기존 NXE 플랫폼, 즉 개구수 0.33 EUV로 같은 층을 찍은 제품과 성능이 같거나 더 나은 수준으로 나왔다고 두 회사는 설명했다.

6인치 마스크를 그대로 쓰는 스티칭

노출 면적이 줄어드는 문제는 마스크 규격 논쟁으로 이어져 있다. 현재 업계 표준은 6인치 마스크이고, 하이NA의 장점을 온전히 살리려면 6×12인치 대형 마스크로 넘어가야 한다는 구상이 있었다. 두 회사는 당장은 6인치 마스크 안에서 회로를 배치하거나, 인텔 파운드리의 스티칭(노출 영역보다 큰 회로를 절반씩 나눠 찍은 뒤 이어붙이는 기법) 기술과 공정 설계 키트(PDK)를 쓰면 하이NA의 이점을 지금도 얻을 수 있다고 밝혔다.

인텔 파운드리는 3년 넘게 대형 마스크 규격을 정리하는 업계 작업을 주도해 왔다고 설명했다. ASML과 마스크 제조사, 자동화 공급사, 설계자동화(EDA) 파트너, 소재 공급사, 반도체 제조사가 함께 표준과 기반 설비를 준비하는 방식이다.

크리스토프 푸케 ASML 사장 겸 최고경영자는 "인텔 파운드리는 2024년 첫 상용 EXE 장비 설치부터 최신 세대 장비 검증, 하이NA로 제조한 첫 대량 생산 로직 제품 출하까지 업계의 하이NA 도입을 이끈 핵심 주역 중 하나"라고 말했다. 나가 찬드라세카란 인텔 수석부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄은 "앞으로 점점 복잡해지는 인공지능 제품을 만드는 기업들에는 곧바로 양산에 쓸 수 있고 다루기 쉬운 제조 기술이 필요하다"며 "단기적으로는 스티칭 여부와 무관하게 6인치 마스크에서 하이NA를 쓸 수 있게 하고, 6×12인치 마스크로의 전환을 이뤄내는 데 집중하고 있다"고 밝혔다.

자료: 인텔, ASML